Muguras virsmas lauka (BSF) saules bateriju tehnoloģija
Muguras virsmas lauks (BSF) ir izmantots kā viens no līdzekļiem, lai uzlabotu saules bateriju darbību, samazinot virsmas rekombinācijas ātrumu (SRV). Viena no metodēm BSF ražošanai ir tā, ka uz vafeles aizmugurējās virsmas tiek uzklāts ļoti leģēts slānis.
Sietspiedes alumīnijaandrapīda termiskos sakausējumus izmanto kopā, lai iegūtu an aizmugures virsmas lauku (Al-BSF), kas var pazemināt faktisko aizmugures virsmas rekombinācijas ātrumu. Šis process ir apvienots augstas efektivitātes, laboratorijas ražošanas un augstas caurlaidspējas rūpnieciskā procesā, lai panāktu šādu saules šūnu efektivitāti, pārsniedzot 19,0% un 17,0%.
Kritiskās procesa prasības optimālai Al-BSF veidošanai ir:
Ātra rampas ātruma izmantošana leģējošās temperatūras sasniegšanai
Bieza plēves Al nogulsnēšana pirms leģēšanas.
Vispārēja pieeja rūpnieciskā p-veida silīcija saules bateriju kontakta nodrošināšanai, izmantojot alumīnija sakausējuma sietspiedi un aizmugures kontaktu.
Passivated Emitter Rear Contact (PERC) saules bateriju tehnoloģija
Lai uzlabotu fotonu skaitu, ko uztver saules baterija, PERC tehnoloģija šūnas aizmugurē pievieno divus papildu slāņus.
PERC saules baterija
PERC (Passivated Emitter Rear Contact) tehnoloģija ir aizmugurējo vafeļu virsmas pasivācijas un lokālo aizmugurējo kontaktu kombinācija, kas sniedz ievērojamus efektivitāti palielinošus ieguvumus, īpaši PV sistēmas līmenī.
& lt; Izcila veiktspēja vāja apgaismojuma un augstas temperatūras apstākļos.
Lielāks enerģijas blīvums uz kvadrātpēdu nekā parastās monokristāliskās šūnas.
Palielināta gaismas absorbcija, jo neabsorbētā gaisma tiek atstarota atpakaļ uz Saules elementu.
Lielāka iekšējā atstarojamība; Elektronu rekombinācijas samazināšana.
Šie slāņi uzlabo elektronu kustību šūnā, kā arī atdod gaismu atpakaļ šūnā, dodot šūnai otru iespēju uztvert elektronus, kas citādi vienkārši izietu cauri. Absolūtais PERC efektivitātes pieaugums katram ražotājam būs atšķirīgs, bet jūs varat sagaidīt aptuveni 1% efektivitātes pieaugumu šūnā. Tas nozīmē, ka, ja saules paneļa efektivitāte būtu 19%, PERC izmantošana varētu šo paneli palielināt līdz 20%.
Tuneļa oksīda pasīvā kontakta (TOPCon) saules bateriju tehnoloģija
Atkal ir šis vārds “pasivēts”. Faktiski TOPCON tehnoloģija būtībā ir tikai nākamās PERC paaudze, un tāpat kā tās priekšteci, to var pievienot šūnām, kas ražotas tradicionālā veidā. TOPCon ietver īpaši plāna silīcija dioksīda (SiO2) un polikristāliska silīcija slāņa pievienošanu ar fosforu.
Tā kā TOPCon ir nākamais loģiskais solis pēc PERC, galaproduktam tas nerada lielas papildu izmaksas. Tas var radīt papildu efektivitātes pieaugumu salīdzinājumā ar PERC, taču tā teorētiskā maksimālā efektivitāte ir 23,7%. Ir svarīgi atzīmēt, ka pašreizējā TOPCon tehnoloģija tomēr pārsniedz nedaudz vairāk par 22%.
Heterojunction (HJT) saules bateriju tehnoloģija
Heterojunction saules baterijas ir izgatavotas no mainīgiem tradicionālā kristāliskā silīcija un amorfā silīcija slāņiem, no kuriem pēdējais parasti ir saistīts arplānās plēves saules paneļi. Apvienojot abus dažādos slāņu veidus, HJT šūnas absorbē vairāk gaismas viļņu garumu, un dažādi slāņi darbojas kopā, lai šūnas padarītu par visefektīvākajām mūsdienu tirgū.
Diemžēl HJT tehnoloģiju nevar izgatavot tādā pašā veidā kā tradicionālos saules elementus, tāpēc tai nepieciešami ievērojami pārinstrumenti un jauni rūpnieciski procesi. Tas HJT saules moduļus mēdz padarīt diezgan dārgus, lai gan tiem ir augstākās kvalitātes un augstas veiktspējas reputācija.
HJT saules bateriju teorētiskā maksimālā efektivitāte ir lielāka par 26,7%, bet pašreizējie piedāvājumi no tādiem uzņēmumiem kā REC Solar un Panasonic pārsniedz 24%.
Interdigitated back contact (IBC) saules bateriju tehnoloģija
Priekšējā kontakta enerģijas pārveidošanas vietā IBC ir atpakaļkontakta enerģijas pārveidošana. Tas ļauj visu šūnas priekšpusi absorbēt saules gaismu, bez ēnojuma no metāla lentēm, vairāk fotonu pārveidojot par enerģiju.
IBC saules baterijām uz aizmugurējās virsmas ir nepieciešams interdigitēts (vai svītrains) dopings, un kontakti ir tikai aizmugurē. Šo dopingu var panākt ar maskētu difūziju, maskētu jonu implantāciju vai lāzera dopingu. Pēc tam saules elementi tiek metalizēti, veidojot metāla pirkstus gar katru izkliedēto reģionu.