Saules elements

Silicon Heterojunction Technology (HJT) pamatā ir izstarotājs un aizmugurējās virsmas lauks (BSF), ko rada zemā temperatūrā augot īpaši plāniem amorfā silīcija slāņiem (a-Si:H) abās ļoti labi

210 mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) saules baterija ir ar 24,4 procentu efektivitāti un 10,76 vatu nominālo jaudu.

Silicon Heterojunction Technology (HJT) pamatā ir izstarotājs un aizmugurējās virsmas lauks (BSF), ko rada zemas temperatūras amorfā silīcija (a-Si:H) īpaši plānu slāņu augšana ļoti labi notīrītu

TOPCON (tuneļa oksīda pasivētā kontakta) tehnoloģija palielina N tipa saules bateriju efektivitāti līdz 25 procentiem. Rūpnieciskā 210 mm TOPCon saules baterija ir ar maksimālo 24,4 procentu

23% efektivitāte 210 mm saules baterija ir ar 10,14 vatu nominālo jaudu. 132 gab. Pusgrieztas 210 mm mono PERC saules baterijas var montēt saules paneļus ar jaudu līdz 670 vatiem.

Laser SE apvienojumā ar PERC tehnoloģiju padara 182mm saules bateriju nominālo jaudu līdz 7,58W ar 23% efektivitāti.72 gabali no 182mm Mono PERC saules baterijām apvienojumā ar pusgriezuma

TOPCON (tuneļa oksīda pasivētā kontakta) tehnoloģija palielina N tipa saules bateriju efektivitāti līdz 24,5%.Monokristāla N tipa 182mm TOPCon saules baterija ir ar nominālo jaudu 8.08Vats ar 24.5%

Jaunināta no PERT tehnoloģijas, TOPCON (tuneļa oksīda pasivētā kontakta) tehnoloģija apvienojumā ar AlOx/ SiNx pasivācijas slāņa pastiprinājumu N tipa 166 mm saules bateriju efektivitāte līdz 24,4%.

N-veida mono bifaciālais PERT (pilnībā izkliedēts pasīvā emitētāja aizmugurē pilnīgi izkliedēts) silīcija saules baterijām piemīt augsta un stabilizēta konversijas efektivitāte. N tipa bifaciālās

N-tipa monobifacial PERT (pasivēts emitētājs aizmugurē pilnīgi izkliedēts) silīcija saules baterijām ir augsta un stabilizēta pārveidošanas efektivitāte.N tipa silīcija saules baterijas tiek

PERC šūnu tehnoloģija definē saules bateriju arhitektūru, kas atšķiras no standarta šūnu arhitektūras, kas tiek izmantota jau trīs gadu desmitus un kas parasti ir redzama visās fotoelektriskajās

PREC ir saīsinājums no Passivated Emitter un aizmugurējās kameras. Tā pamatā ir P tipa monokristalīna silīcija saules baterija. PERC šūnu tehnoloģija definē saules bateriju arhitektūru, kas atšķiras