N tipa silīcija saules baterija

Silicon Heterojunction Technology (HJT) pamatā ir izstarotājs un aizmugurējās virsmas lauks (BSF), ko rada zemā temperatūrā augot īpaši plāniem amorfā silīcija slāņiem (a-Si:H) abās ļoti labi

210 mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) saules baterija ir ar 24,4 procentu efektivitāti un 10,76 vatu nominālo jaudu.

Silicon Heterojunction Technology (HJT) pamatā ir izstarotājs un aizmugurējās virsmas lauks (BSF), ko rada zemas temperatūras amorfā silīcija (a-Si:H) īpaši plānu slāņu augšana ļoti labi notīrītu

TOPCON (tuneļa oksīda pasivētā kontakta) tehnoloģija palielina N tipa saules bateriju efektivitāti līdz 25 procentiem. Rūpnieciskā 210 mm TOPCon saules baterija ir ar maksimālo 24,4 procentu

TOPCON (tuneļa oksīda pasivētā kontakta) tehnoloģija palielina N tipa saules bateriju efektivitāti līdz 24,5%.Monokristāla N tipa 182mm TOPCon saules baterija ir ar nominālo jaudu 8.08Vats ar 24.5%

Jaunināta no PERT tehnoloģijas, TOPCON (tuneļa oksīda pasivētā kontakta) tehnoloģija apvienojumā ar AlOx/ SiNx pasivācijas slāņa pastiprinājumu N tipa 166 mm saules bateriju efektivitāte līdz 24,4%.

N-veida mono bifaciālais PERT (pilnībā izkliedēts pasīvā emitētāja aizmugurē pilnīgi izkliedēts) silīcija saules baterijām piemīt augsta un stabilizēta konversijas efektivitāte. N tipa bifaciālās

N-tipa monobifacial PERT (pasivēts emitētājs aizmugurē pilnīgi izkliedēts) silīcija saules baterijām ir augsta un stabilizēta pārveidošanas efektivitāte.N tipa silīcija saules baterijas tiek

Interdigitētā muguras kontakta (IBC) šūnu struktūrā emitētājs un kontakts ir gan plāksnīšu aizmugurē, kas ļauj neatkarīgi optimizēt priekšējo virsmu optiskajām īpašībām, gan aizmugurējo virsmu

N-tipa monobifacial PERT (pasivēts emitētājs aizmugurē pilnīgi izkliedēts) silīcija saules baterijām ir augsta un stabilizēta pārveidošanas efektivitāte.N tipa silīcija saules baterijas tiek